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开关电源设计后EMI的实际整改策略--传导部分及辐射部分(三)

来源:   发布时间:2019-04-18   点击量:412


开关电源设计后EMI的实际整改策略--传导部分及辐射部分(三)

本文继续从传导部分20-30MHZ差模共模混合和辐射部分30-50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起 ,50-100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起这三个方面来叙述。

对于20-30MHZ来说

1、对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值;

2、开关电源在变压器外面包铜箔,变压器最里层加屏蔽层,调整变压器的各绕组的排布。改变PCB LAYOUT;

3、输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;、在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;

4、开关电源在变压器与MOSFET之间加磁珠;在变压器的输入电压脚加一个小电容。

5、可以用增大MOS 驱动电阻。可能是电子负载引起的,可改用电阻负载。

6、可将MOS管D 端对地接一个101的电容。可将输出整流二极管换一个积电容小一点的。

7、开关电源可将输出整流二极管的RC回路去掉。将输入端加两个Y电容对地,可降低传导25MHZ-30MHZ干扰。

8、紧贴变压器的磁芯上加一铜皮,铜皮连接到地。
9、传导后段25MHZ超标可在输出端加共模电感,也可在开关管源极检测电阻上套一长的导磁力合适的磁珠。

辐射部分

30-50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起

1.开关电源可以用增大MOS驱动电阻;2.RCD 缓冲电路采用1N4007慢管;3.VCC 供电电压用1N4007慢管来解决;

4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;

6.开关电源在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;

8.PCB 心LAYOUT 时大电解电容,变压器,MOS 构成的电路环尽可能的小;

9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50-100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起

1.可以在整流管上串磁珠;2.调整输出整流管的吸收电路参数;

3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻;

4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。

5.开关电源增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.

200MHZ 以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI 标准。

最后对开关电源EMI的对策处理做一下小结:

外部构造的屏蔽处理;产品外部的电缆线处理;产品内部的电缆线处理;PCB布线处理;开关电源的振荡频率的选择;IC型号的选择;磁性材料的频率和带宽的选择;变压器的选型、绕法和设计;散热器的接地方式的处理。

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